K9F4G08U0D-SIB0 Samsung scheggiano i pezzi meccanici montati componente di SMT

K9F4G08U0D-SIB0 Samsung Chip Component Assembled

Informazione dettagliata:

1, nome di parte: Chip Component

2, modello: K9F4G08U0D-SIB0

3, marca: Samsung

4, circostanza: Nuovo originale

5, origine: Coreano

• Produttore Part Number:

  K9F4G08U0D-SIB0000

• Codice di Rohs:

  Sì

• Codice del ciclo di vita della parte:

  Obsoleto

• Descrizione del pacchetto:

  UN PASSO MILLIMETRI DA 0,50, DA 12 X 20 MILLIMETRI, ALOGENO E SENZA PIOMBO, DI PLASTICA, TSOP1-48

• Produttore:

  Semiconduttore di Samsung

• Rango di rischio:

  5,84

• Access Del tempo massimo:

  25 NS

• Interfaccia utente di comando:

  SÌ

• Votazione di dati:

  NO

• Codice JESD-30:

  R-PDSO-G48

• Lunghezza:

  18,4 millimetri

• Densità di memoria:

  bit 4294967296

• Tipo di IC di memoria:

  FLASH

• Larghezza di memoria:

  8

• Numero delle funzioni:

  1

• Numero dei settori/dimensione:

  4K

• Numero dei terminali:

  48

• Numero delle parole:

  536870912 parole

• Numero del codice di parole:

  512000000

• Modo operativo:

  ASINCRONO

• Funzionamento Temperatura-massimo:

  °C 85

• Temperatura-min di funzionamento:

  -40 °C

• Organizzazione:

  512MX8

• Materiale del corpo del pacchetto:

  PLASTIC/EPOXY

• Codice del pacchetto:

  TSOP1

• Codice equivalente del pacchetto:

  TSSOP48, .8, 20

• Forma del pacchetto:

  RETTANGOLARE

• Stile del pacchetto:

  PICCOLO PROFILO, PROFILO SOTTILE

• Dimensione di pagina:

  parole 2K

• Parallelo/pubblicazione periodica:

  PARALLELO

• Temperatura di punta di riflusso (cel):

  NON SPECIFICATO

• Alimentazioni elettriche:

  3/3.3 V

• Tensione di programmazione:

  3,3 V

• Stato di qualificazione:

  Non qualificato

• Pronto/occupato:

  SÌ

• Altezza-massimo messo:

  1,2 millimetri

• Dimensione di settore:

  128K

• Corrente-massimo standby:

  0,00005 A

• Sottocategoria:

  Memorie flash

• Rifornimento Corrente-massimo:

  0,03 mA

• Rifornimento Tensione-massimo (Vsup):

  3,6 V

• Tensione-min del rifornimento (Vsup):

  2,7 V

• Tensione-Nom del rifornimento (Vsup):

  3,3 V

• Supporto di superficie:

  SÌ

• Tecnologia:

  CMOS

• Grado di temperatura:

  INDUSTRIALE

• Forma terminale:

  ALA DEL GABBIANO

• Passo terminale:

  0,5 millimetri

• Posizione terminale:

  DOPPIO

• Riflusso di Time@Peak (s) Temperatura-massimo:

  NON SPECIFICATO

• Pezzo leva:

  NO

• Tipo:

  TIPO DI NAND

• Larghezza:

  12 millimetri